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doi: 10.11999/JEIT260907
摘要:
针对传统4H-SiC双沟槽MOSFET(Conventional Dual Trench MOSFET, CON-DTMOS)反向续流时寄生体二极管导通电压高、导通后易引发双极退化的性能缺陷,设计了一种集成平面-垂直沟道的4H-SiC双沟槽MOSFET(Lateral-Vertical Channel Dual Trench MOSFET, LV-DTMOS),在此基础上引入内嵌反向沟道形成一种非对称阶梯式MOSFET(Reverse Channel Integrated Asymmetric Step MOSFET, RC-ASMOS)。RC-ASMOS以垂直沟道CH1和平面沟道CH2为正向导通沟道,不仅有效降低器件的导通电阻,优化器件静态特性,还可屏蔽器件的栅漏电容CGD,使其动态特性显著提升;此外,引入的反向沟道CH3,可凭借较低的反向开启电压抑制体二极管的导通,避免体二极管的双极退化效应。仿真结果表明,相比CON-DTMOS,RC-ASMOS的比导通电阻Ron,sp降低29.1%,反向开启电压VF降低42.9%,击穿电压BV提高36.5%,反向恢复电荷QRR减小46.2%,栅电荷QGD降低53.9%。因此RC-ASMOS兼具优异的静态性能与动态性能,这为其高频场景的应用打下了坚实的基础。