1987, 9(5): 420-427.
刊出日期:1987-09-19
以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
1986, 8(1): 76-80.
刊出日期:1986-01-19
正 1.引言 由于PbTiO3压电陶瓷较难合成,因而使它的推广应用比PZT陶瓷晚。但是由于它的介电常数小(200左右),居里温度高(490℃),故在高频器件、红外器件等方面有应用前途。目前应用较广的(Ba,Pb)TiO3-PTC陶瓷的转变温度就是利用PbTiO3的高温特性来提高的。 本文介绍的是利用PbTiO3的介电常数小、Kt大和频率稳定度高的特点,把它用作滤
1988, 10(4): 360-366.
刊出日期:1988-07-19
蒸涂法获得的Si-Ni界面在室温到800℃下热处理,并用透射式电子显微镜对它进行原位研究。在化学清洗的洁净的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。实验表明,在真空度为110-6mmHg,温度为650℃时,化学清洗的Si表面上生成了SiC;各种镍硅化物的出现不是在某一确定温度;在Si(111)面上外延生长镍硅化物比在(100)面上容易。
2021, 43(4): 1064-1071.
doi: 10.11999/JEIT191049
刊出日期:2021-04-20
针对5G通信技术高传输速率、多业务场景的挑战,该文提出一种组件化的软件定义无线接入网络新架构。该架构在5G接入网集中单元(CU),分布单元(DU),有源天线单元(AAU)架构的基础上,进一步朝组件化方向演进,形成一种由集中控制单元(CCU), CU, DU,射频单元(RU),AAU等组件化通信单元组成的新架构。这种新架构既有利于切片化、虚拟化实现无线接入网,又有利于应用分布式计算技术和硬件加速技术突破通用处理器的计算能力瓶颈,还能降低DU与AAU之间的前传压力。该文还研制了基于此架构的组件化软基站试验原型并进行了测试,结果表明该组件化方案在提供高度灵活性的同时,还能够提升通用处理器软基站的吞吐能力,并有效降低远端站址传输流量。
1980, 2(1): 38-41.
刊出日期:1980-01-19
一、前言 随着我国电视工业的迅速发展,对电视机所用显像管的寿命指标提出了愈来愈高的要求。国产23X5B(9英寸)显像管的寿命原部颁标准为750小时,目前多数管的实际寿命一般不超过2000小时,远不能满足要求。 本实验的目的是试备用Ni-W-Ca合金代替Si-Ni合金作阴极基底金属,以提高9英寸显像管的寿命。实验表明,在不改变原制管工艺的情况下,更换阴极基底金属后,9英寸管的寿命可以提高到700012000小时,甚至更高
1985, 7(6): 458-465.
刊出日期:1985-11-19
本文提出了一种在光照和短路条件下测量Ni/-Si∶H肖特基结势垒宽度的方法。同时,又在实验确定的参数的基础上,从理论上计算了在AM1太阳光谱照射下Ni/-Si∶H太阳电池的I-V曲线。由此得到的非晶硅少子扩散长度的数值与作者1983年用表面光电压法(SPV)测得的是一致的。从计算结果出发,着重分析了影响填充因子的各种因素。与实验对比可以得出结论:被测太阳电池的填充因子小是串、并联电阻造成的,而不是扩散长度太短的缘故。
2024, 46(1): 277-286.
doi: 10.11999/JEIT221502
刊出日期:2024-01-17
图像超分变率重建方法在公共安全检测、卫星成像、医学和照片恢复等方面有着十分重要的用途。该文对基于生成对抗网络的超分辨率重建方法进行研究,提出一种基于纯合成数据训练的真实世界盲超分算法(Real-ESRGAN)的UNet3+双鉴别器Real-ESRGAN方法(Double Unet3+ Real-ESRGAN, DU3-Real-ESRGAN)。首先,在鉴别器中引入UNet3+结构,从全尺度捕捉细粒度的细节和粗粒度的语义。其次,采用双鉴别器结构,一个鉴别器学习图像纹理细节,另一个鉴别器关注图像边缘,实现图像信息互补。在Set5, Set14, BSD100和Urban100数据集上,与多种基于生成对抗网络的超分重建方法相比,除Set5数据集外,DU3-Real-ESRGAN方法在峰值信噪比(PSNR)、结构相似性(SSIM)和无参图像考评价指标(NIQE)都优于其他方法,产生了更直观逼真的高分辨率图像。
1981, 3(2): 125-127.
刊出日期:1981-04-19
正 一、引言 长期以来,氧化物阴极基金属一般都采用镍镁、镍硅等镍合金。但用它们作直热式阴极时,在强度和热变形等方面都不能很好满足要求,如用在直热式发射管FD-422中,就常出现阴极断裂、高压跳火,掉粉等问题。为了解决这一问题,我们研制出一种Ni-Co-W合金。用杯卣热式发射管FD-422中,得到较好效果
2024, 46(9): 3503-3509.
doi: 10.11999/JEIT240120
刊出日期:2024-09-26
蜂窝网络下的同时同频全双工(CCFD)设备到设备(D2D)组网可以进一步提升网络频谱效率,然而由此引入的残余自干扰(RSI)及蜂窝用户(CU)与D2D用户(DU)之间共享频谱的干扰会严重影响到蜂窝用户的体验。因此,该文为蜂窝网络下同时同频全双工组网设计了两种干扰协调算法,即CU和速率最大化算法(MaxSumCU)与CU最小速率最大化算法(MaxMinCU),在小区频谱效率得到提升的同时尽可能地保证CU的体验。对于MaxSumCU算法,该文以CU和速率为优化目标建立混合整数非线性规划问题(MINLP),其在数学上为非确定性多项式(NP-hard)问题。算法将其分解为功率控制与频谱资源分配两个子问题,并用图形规划找到最优功率解后,使用二向图最大权值匹配算法决定频谱共享的CU与DU。为了保证每一个蜂窝用户体验的公平性,该文设计了MaxMinCU算法用以最大化所有CU速率中的最小值,该算法基于二分查找与二向图最小权值匹配算法来完成用户的资源分配。数值结果表明,与小区和速率最大化(MaxSumCell)设计相比,该文所提的两种算法在提升小区和速率的同时均有效地提升了蜂窝用户的体验。
2003, 25(2): 259-262.
刊出日期:2003-02-19
关键词:
硅纳米线; SLS生长机制; 升温特性
该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法。与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源.是一种全新的固液固(SLS)生长机制。实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2.5104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非晶态,直径为10-40 nm,长度可达数十微米,升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用。研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响。